世界半导体设备公司排名

发布时间:2022-06-28 11:42:53 来源:环球彩票平台

  美国的运用资料公司从2007年开端就一向占有首位,除2011年被全球最大的半导体光刻设备厂商ASML攫取外,该公司一向坚持着领导方位。运用资料公司是资料工程解决方案的领导者,该解决方案用于出产世界上简直一切新芯片和先进

  ASML现已逐渐迫临运用资料的商场规划,据ASML财报数据,2019年ASML净出售额为118亿欧元,净收入为26亿欧元。据Statista研讨部报导指出,到2019年,ASML的大部分出售收入来自亚洲,为95亿欧元,而该公司在美国和欧洲、中东和非洲的出售收入分别为20亿欧元和3亿欧元。自2014年至2019年,ASML的总净收入每年都在增加,2014年,这家荷兰跨国公司完结了约59亿欧元的净营收,到2019年,这一数字翻了一番,ASML发明了约118亿欧元的收入。

  关于ASML而言,2019年是另一次增加之年,首要是因为对DUV和EUV的逻辑需求微弱,其EUV的订单量为62亿欧元,并见证了EUV在大批量出产中的选用。

  东京电子的2019年排名与2018年一起,仍旧是第三,2019年出售额为95.5亿美元,同比下滑12.5%。东电的产品简直掩盖了半导体制作流程中的一切工序,首要产品包含:涂胶/显影设备、热处理成膜设备、干法刻蚀设备、堆积设备、清洗设备,封测设备。其间涂胶/显影设备在全球占有率到达87%,在FPD制作设备中,刻蚀机占有率到达七成。

  2019年LAM的出售额与排名第三的东京电子挨近,都在95美元左右,下滑12.2%。关于半导体公司来说,排名第四的LAM research是硅技能道路图的底子推进者,该公司专心于蚀刻,堆积和清洁商场。在曩昔的几年中,得益于3D NAND不断增加的层数,以及代工厂/逻辑向10/7纳米工艺节点的过渡,这需求更多的多个构图进程,这些与笔直缩放相关的技能严峻依赖于先进的蚀刻和堆积东西,Lam Research在蚀刻和堆积范畴的比例不断增加。据悉,Lam有80%的收入和内存芯片有关(固态闪存和DRAM),LAM 的旗舰Kiyo,Vector和Saber产品首要出售给三星电子和台积电等首要客户。

  排在第五位的KLA 2019年的出售额为46.6亿美元,比较上一年增加了10%,比较榜首队伍,KLA的出售额为前四强的一半左右。不过在当今半导体检测设备商场格式中,KLA是全球肯定王者。据SEMI计算,2018年KLA在前道的检测和丈量商场中占比过半、稳居职业榜首,可谓半导体检测设备范畴王者。KLA长时刻以来一向主导着查看半导体光掩模和掩模版的设备商场。世界商场上的客户占公司收入的75%以上。2019年2月,KLA以约32亿美元的价格收买了以色列公司Orbotech。通过此次收买,KLA涣散了收入根底,并在PCB,FPD,封装和半导体制作范畴增加了25亿美元的潜在商场时机。

  日本的爱德万测验排在第六位,2019年其出售额为24.7亿美元,下滑了4%。从1972年爱德万正式跨足半导体测验范畴,通过40多年的展开,公司现已成为全球后道检测设备的抢先企业。在存储器测验台细分商场范畴,爱德万以40%的市占率长时刻位居全球首位。爱德万测验的首要产品包含主动化测验设备、SoC测验体系、内存测验体系、机电一体化测验体系等。爱德万测验研发出了日本多个“榜首款”测验设备,创始了日本测验界的先河。

  在全球半导体清洗设备中具有较高占比的SCREEN仍旧坚持与2018年相同的排名,排名第七。SCREEN的出售额与爱德万测验挨近,为22亿美元,比上一年下降了1.2%。日本的SCREEN是世界上仅有出产线图画制版器材、电子原件制作设备的归纳制作厂商,创立于1943年。早在2008年SCREEN就占有涂布机/显影机,湿法蚀刻机和抗蚀剂剥离剂的LCD制作设备商场的全球最大的比例。2009年SCREEN在单晶圆清洗体系中取得了全球60%以上的比例。

  排名第八的Teradyne(泰瑞达)公司是仅有能够掩盖模仿、混合信号、存储器及VLSI器材测验的设备供给商。泰瑞达2019年的出售额比上一年增加了4.1%,到达15.5亿美元。2019年公司的测验台市占率全球居首,又是SoC测验台的肯定龙头。Teradyne将制作业中最要害的两个要素主动化:重复的手动使命和电子测验。在可靠性和功用至关重要的商场中,Teradyne的主动测验设备(ATE)能够加快新电子产品的上市时刻。

  在SEM测长等方面的设备中占有优势的日立高科的排名进步到TOP9。日立高科与泰瑞达的出售额也十分挨近,为15.3亿美元,同比上升9.3%。日立高科所供给的半导体制作设备首要有干蚀刻体系、CD-SEM和缺点查看。日立高科技42%的出售额来自日本。日立具有该公司近52%的股份。

  ASM international(ASMi)也由2018年第13名进步到第10名,其2019年出售额为12.6亿美元,是前十五家增加较多的一家企业,比上一年增加了27.2%。ASMi是晶圆加工半导体加工设备的抢先供货商。它是一家全球性公司,坐落14个国家/区域。ASMi率先在工业上运用了许多老练的晶圆加工技能,包含光刻,堆积,离子注入和单晶圆外延。近年来,ASMi将原子层堆积(ALD)和等离子增强原子层堆积(PEALD)从研发一向带到了先进制作商站点的干流出产。

  最亮眼的要数尼康,2018年从事曝光设备的尼康还在TOP15之外,而在2019年一跃成为TOP11,在TOP15中尼康的前进最大!2019年尼康的出售额到达12亿美元,比较2018年完结了翻倍增加,高达117.8%。尼康建立于1917年,最早通过相机和光学技能发家,1986年推出榜首款FPD曝光设备,现在事务线、日本Kokus

  Electric(世界电气)此外,擅长于热处理等设备的世界电气(Kokusai electric)出售成绩下滑了23.5%,排名也从2018年的第九位下跌至12名。2019年7月,据彭博社报导,美国运用资料赞同以约2500亿日元(合22亿美元)的价格从KKR&Co手中收买Kokusai Electric。Kokusai Electric将作为Applied公司半导体产品部分的事务部分运作,并将继续将总部设在东京。Kokusai专心于批处理或并行处理许多晶圆,特别是关于存储晶圆。据介绍,其首要客户包含三星电子公司,台湾半导体制作公司和

  公司。KOKUSAI ELECTRIC本来便是日立世界电气,并与日立High Technology一起在日立集团下展开半导体设备的竞赛。可是,跟着日立制作所的事务会集、挑选,在2017年作为非中心事务被出售给了美国的私募基金(Private Equity Fund)――Kohlberg Kravis Roberts(KKR),正式脱离日立集团。此外,KKR把本来在日立世界电气集团中承当半导体出产设备和成膜工艺技能的财物进行汇总,于2018年6月建立了新的安排――KOKUSAI ELECTRIC。据英国Financial Times(中文名《金融时报》)2019年2月3日的报导称,KKR正在评论要把KOKUSAI ELECTRIC的一部分半导体设备事务(或许悉数事务)出售给我国的大型企业和我国政府联合的基金安排,以取得利益。可是,因为美国及日本政府的对立,据业界相关人员泄漏,这次出售应该不会成功。

  uku(大幅)从事于半导体转移体系的Daifuku(大福)比较2018年增加了13.9%,进步了一个名次,排名第13。大福与世界电气的出售额也比较挨近,都在11亿美元左右。大福的洁净室存储、转移体系被广泛运用于半导体、液晶等平板显现器制作职业,在许多世界著名企业均有出售。大福此前发布了2019年三个季度的财务数据,其订单、出售和经营收入首要是因为其在半导体和平板显现器部分的出资削减。

  ASM是ASM International NV集团的一部分,该集团还包含ASM Pacific Technology(ASMPT)。ASMPT在15家公司中跌幅最大,2019年出售成绩下滑了24.3%,出售额为8.9亿美元。由上一年的第11位降落到第14位。ASMPT建立于1975年,总部坐落新加坡,自1989年以来在香港联合交易所上市,也正因而,VLSI将其看做是我国的设备厂商。ASMPT是用于晶片拼装和封装以及外表安装技能的半导体工艺设备的抢先供货商,也是世界上仅有一家为电子制作进程中一切首要进程供给高质量设备的公司,这些设备从用于芯片互连的载体到芯片拼装和封装再到

  on(佳能)在FPD曝光设备范畴,尼康和佳能两家日本厂商占有首要方位,两家也在不断抢食FPD设备商场。据了解,佳能在出产电视机显现屏方向的大型面板的曝光设备方面实力雄厚,而尼康的曝光设备则在用于智能手机显现屏的中小型面板方面更具有优势。佳能在2019年半导体设备厂商出售额排名跟上一年相同,都排在第15,不过其出售额远低于尼康,仅为6.9亿美元,比上一年下滑9.5%。

  近年我国半导体设备虽已取得长足前进,在各个范畴现已完结 0 的打破,可是全体 研发投入相对海外依然较低,此外先进工艺节点的不断推进,使得国内的技能追逐之路困难重重。企业尽管继续加大研发力度,但跟着摩尔定律演进,越先进的工艺 制程研发本钱就越高,能投入资金跟上脚步的半导体设备厂商现已越来越少,无形 中增加了技能追逐的难度。

  解决方案:技能难点的霸占能够通过国家严重专项的推进完结,企业和政府一起承 担高端设备的技能霸占,减轻企业端的研发投入压力,一起继续鼓舞国内新建晶圆 厂推进设备的国产化代替,给国内半导体设备厂商试错与进步的时机。针对不同的半导体设备拟定国产化代替节点时刻,对企业研发投入进行补助,并活泼运用国内 各种融资途径扩展规划。

  人才现已成为我国半导体设备工业生长的瓶颈点,半导体人才的培育是一个绵长的 进程,特别是在先进工艺、先进技能方面,更是花钱或许也达不到作用的。职业人 才薪资比较海外偏低,确保新进人才是接连微弱生长、打破半导体设工业生长瓶颈的要害。2018 年全国本硕博毕业生数量超越800 万人,但

  专业范畴的高校毕业生中只要 3 万人进入本职业作业。活泼通过人才引入,股权鼓舞,政府补助等办法进行高端人才的引入,政府牵头推进半导体职业的人才培育,通过产学研结合的办法,一起对半导体职业人才的住宅 等问题进步行方针歪斜。3,科学布局,政府引导合理规划集成电路工业展开的初期必须由政府来主导,当时集成电路的工业出资主体涣散, 办理主体也十分涣散,这对工业展开十分晦气。到了现在阶段,拟定规划,建立战 略,科学布局,拟定方针或许十分重要。政府要办理,但不能办理过度。办理一过度就管死,条条框框增多,方针多门,或许导致功率低下。

  半导体资料工业散布广泛,类别许多,首要包含晶圆制作用硅和硅基材、光刻胶、高纯化学试剂、电子气体、靶材、抛光液等。以半导体工业链上下流来分类,半导体资料能够分为晶圆制作资料和封装资料。2016 年全球晶圆制作资料和封装资料商场规划分别为 247 亿美元和 196 亿美元。我国是全球最大的半导体消费国,也是全球最大的半导体资料需求国。2016 年全球半导体资料市 场规划为 443 亿美金,其间我国大陆商场出售额为 65 亿美金,占全球总额的 15%,超越日本、美国等半导体强国,仅次于台湾、韩国,位列全球第三。

  同半导体设备等配套设备相同,我国半导体资料也面临着自给率缺乏、规划小、高端占比低一级问题。与国外企业比较,我国半导体资料企业实力较弱,但跟着 国家方针的支撑、国内企业研发和工业投入增加等,各种资料范畴均已取得突 破,在逐渐完结部分国产代替。下面咱们会集就几种中心的半导体原资料的现状、面临的问题以及应对办法进行剖析。

  硅单晶圆片是最常用的半导体资料,是芯片出产进程中必不可少的、本钱占比最高的资料。制作一个芯片,需求先将一般的硅质料制作成硅单晶圆片,然后 再通过一系列工艺进程将硅单晶圆片制作成芯片。从商场规划上来看,2016 年 全球半导体硅片商场规划为 85 亿美元,占半导体制作资料总规划比重达 33%;2016 年国内半导体硅片商场规划为 119 亿元人民币,占国内半导体制作资料 总规划比重达 36%。无论是全球仍是国内商场,硅片都是半导体制作上游资猜中占比最大的一块。

  全球最大的 5 家厂商(首要是德国及日本厂商)简直包含了全球 95%的 300mm 硅晶圆片、86%的 200mm 硅晶圆片和 56%的150 mm 及以下尺度 硅晶圆片。这一范畴首要由日本厂商独占,我国 6 英寸硅片国产化率为 50%, 8 英寸硅片国产化率为10%,12 英寸硅片没有量产,彻底依赖于进口。2017 年全球的集成电路硅片企业中,日本信越化学比例 28%,日本 SUMCO 比例 25%,台湾举世晶圆比例 17%,德国 Siltronic 比例15%,韩国 LG 9%。这五 家算计占了全球的 94%的比例。

  半导体光刻胶的商场较大,国产代替需求激烈。2015 年我国光刻胶商场的总 需求为 4390 吨,为 2007 年的 5.7 倍,现在半导体光刻胶的供给厂商要会集 在美国、日本、欧洲以及韩国等地。我国的光刻胶供给厂商多会集于 PCB 光 刻胶、LCD 光刻胶等低端范畴。当时国内能够出产半导体光刻胶的厂商有北京科华微电子和姑苏瑞红等。

  高纯溅射靶材首要是指纯度为 99.9%-99.9999%(3N-6N 之间)的金属或非金 属靶材,运用于

  制作的物理气候堆积(PVD)工艺,是制备晶圆、面 板、太阳能电池等外表电子薄膜的要害资料。溅射是制备薄膜资料的首要技能 之一,它运用离子源发生的离子,在真空中通过加快集合而构成高速的离子束流,炮击固体外表,离子和固体外表原子发生动能沟通,使固体外表的原子离 开固体并堆积在基底外表,被炮击的固体是用溅射法堆积薄膜的原资料,称为 溅射靶材。在晶圆制作环节,半导体用溅射靶材首要用于晶圆导电层及阻挡层和金属栅极的制作,首要用到铝、钛、铜、钽等金属,芯片封装用金属靶材于晶圆制作类 似,首要有铜、铝、钛等。

  湿电子化学品(Wet Chemicals)指为微电子、光电子湿法工艺(首要包含湿法刻蚀、湿法清洗)制程中运用的各种电子化工资料。湿电子化学品按用处可分为通用 化学品(又称超净高纯试剂)和功用性化学品(以光刻胶配套试剂为代表)。其间超净高纯试剂一般要求化学试剂中操控颗粒的粒径在 0.5µm 以下,杂质含量低 于 ppm 级,是化学试剂中对颗粒操控、杂质含量要求最高的试剂。功用湿电 子化学品是指通过复配手法到达特别功用、满意制作中特别工艺需求的配方类或复配类化学品。功用性湿电子一般合作光刻胶用,包含显影液、漂洗液、剥 离液等。2016 年全球湿电子化学品商场规划约为 11.1 亿美元。湿电子化学 品作为新能源、现代通讯、新一代电子信息技能、新式显现技能的要害化学材 料,其全球商场规划自 21 世纪初开端快速增加。依据 SEMI 数据显现, 2016 年全球湿电子化学品商场规划约为 11.1 亿美元。

  跟着我国半导体工业制作才能的进步,配套原资料的国产化继续提上日程。集成电路对原资料纯度等要求十分高,因为集成电路产品的价值十分高,导致原 资料供货商的挑选十分谨慎。咱们主张对半导体原资料工业加大资源、人力等 投入的一起,能够在方针方面临下流制作企业运用国产化原资料进行补助,推进下流企业与上游原资料企业一起前进,进口完结工业链的全国产化。一起在 新资料研发方面,国家在方针上给相关企业、人才等给予引导和支撑。

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  TLV9051,TLV9052和TLV9054器材分别是单,双和四运算扩大器。这些器材针对1.8 V至5.5 V的低电压作业进行了优化。输入和输出能够以十分高的压摆率从轨到轨作业。这些器材十分适用于需求低压作业,高压摆率和低静态电流的本钱受限运用。这些运用包含大型电器和三相电机的操控。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性安稳更高,容性更高。 TLV905x系列易于运用,因为器材是一致的 - 增益安稳,包含一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转化率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨迹-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain安稳 内部RFI和EMI滤波器 适用于低本钱运用的可扩展CMOS运算扩大器系列 作业电压低至1.8 V 因为电阻开环,电容负载更简略安稳输出阻抗 扩展温度规模:-40°C至125°C 一切商标均为其各自一切者的产业。 参数 与其它产品比较 通用 运算扩大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

  TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校对的 ±1°C 双路长途和本地温度传感器

  TMP422是具有内置本地温度传感器的长途温度传感器监视器。长途温度传感器具有二极管衔接的晶体管 - 一般是低本钱,NPN-或许PNP - 类晶体管或许作为微操控器,微处理器,或许FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多出产商的长途精度是±1°C。这个2线串行接口承受SMBus写字节,读字节,发送字节和接纳字节指令对此器材进行装备。 TMP422包含串联电阻抵消,可编程非抱负性因子,大规模长途温度丈量(高达150℃),和二极管过错检测。 TMP422选用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C长途二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校对 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管毛病检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品比较 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...

  LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转化器和双道路专为满意的电源办理要求而规划,这些处理器和渠道用于轿车运用中的闭环功用。该器材具有两个可装备为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转化器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器材由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行操控。 主动PWM /PFM(AUTO形式)操作与主动相位增加/削减相结合,可在较宽输出电流规模内最大极限地进步功率.LP8733xx-Q1支撑长途电压检测(选用两相装备的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,然后进步输出电压的精度。此外,能够强制开关时钟进入PWM形式以及将其与外部时钟同步,然后最大极限地下降搅扰。 LP8733xx-Q1器材支撑可编程发动和关断推迟与排序(包含与使能信号同步的GPO信号)。在发动和电压改变期间,器材会对出转化率进行操控,然后最大极限地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有契合 AEC-Q100 规范的下列特性:器材温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运转温度规模输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转化器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相选用两相装备的主动相位增加/削减和强制多相操作选用两相装备的远...

  TPS3840 具有手动复位和可编程复位时刻推迟功用的毫微功耗高输入电压监控器

  TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下作业,一起在整个V DD 上坚持十分低的静态电流和温度规模。 TPS3840供给低功耗,高精度和低传达推迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被铲除)起浮或高于V MR _H ,复位时刻推迟(t D )到期。能够通过在CT引脚和地之间衔接一个电容来编程复位延时。关于快速复位,CT引脚能够悬空。 附加功用:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业运用和电池供电/低功耗运用。 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 特性 宽作业电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V< V IT - ≤3.1V= 100mV(典...

  INA240-SEP 选用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 按捺功用的 80V、高/低侧、零漂移电流检测扩大器

  INA240-SEP器材是一款电压输出,电流检测扩大器,具有增强的PWM反射功用,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降规模为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压答应器材在地下作业,习惯典型电磁阀运用的反激时刻。 EnhancedPWM按捺为运用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)体系(如电机驱动和电磁阀操控体系)供给高水平的按捺。此功用可完结准确的电流丈量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关康复纹波。 该器材选用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调答应电流检测,分流器上的最大压下降至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事情闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次运用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

  一个安装和测验现场 一个制作现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度规模 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改告诉 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM按捺 超卓...

  LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线丈量: 两个长途二极管衔接晶体管及其本身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置电扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一操控。支撑高和低PWM频率规模。 LM96000包含一个数字滤波器,可调用该滤波器以滑润温度读数,然后更好地操控电扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于丈量电扇速度。包含一切丈量值的约束和状况寄存器。 特性 契合SMBus 2.0规范的2线位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个长途热二极管 依据温度读数的可编程自主电扇操控 电扇操控温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM电扇速度操控输出 供给凹凸PWM频率规模 4电扇转速计输入 监控5条VID操控线针TSSOP封装 XOR-tree测验形式

  Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...

  LM63是一款带集成电扇操控的长途二极管温度传感器。 LM63准确丈量:(1)本身温度和(2)二极管衔接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63长途温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm飞跃4和移动飞跃4处理器-M热敏二极管的1.0021非抱负性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校对由其他热二极管的不同非抱负要素引起的差错。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏电扇操控输出。电扇速度是长途温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表运用户能够编程非线性电扇速度与温度传递函数,一般用于静音声学电扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管衔接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其本身温度

  针对英特尔飞跃4和移动飞跃4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM电扇速度操控输出 运用用户可编程下降声学电扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功用的多功用,用户可选引脚 用于丈量电扇RPM的转速计输入

  用于丈量典型运用中脉冲宽度调制功率的电扇转速的Smart-Tach形式 偏移寄存器可针对...

  AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加快器的 76GHz 至 81GHz 单芯片轿车雷达传感器

  AWR1843器材是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内作业。该器材选用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制作,可在极小的外形尺度内完结史无前例的集成度。 AWR1843是轿车范畴低功耗,自监控,超准确雷达体系的抱负解决方案。 AWR1843器材是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内施行轿车雷达传感器。它依据TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可完结具有内置PLL和A2D转化器的3TX,4RX体系的单片完结。它集成了DSP子体系,其间包含TI的高功用C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包含BIST处理器子体系,担任无线电装备,操控和校准。此外,该器材还包含一个用户可编程ARM R4F,用于轿车接口。硬件加快器模块(HWA)能够履行雷达处理,并能够协助在DSP上保存MIPS以取得更高等级的算法。简略的编程模型更改能够完结各种传感器完结(短,中,长),而且能够动态重新装备以完结多模传感器。此外,该设备作为完好的渠道解决方案供给,包含参阅硬件规划,软件驱动程序,示例装备,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接纳...

  OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零穿插、真 RRIO 精细运算扩大器

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算扩大器是超低噪声,快速安稳,零漂移,零穿插器材,可完结轨到轨输入和输出运转。这些特性及优异沟通功用与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转化器(ADC)或缓冲高分辨率数模转化器(DAC)输出的抱负挑选。该规划可在驱动模数转化器(ADC)的进程中完结优异功用,不会下降线(单通道版别)供给VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版别)供给VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版别)供给TSSOP-14和SO-14两种封装。上述一切版别在-40°C至+ 125°C扩展工业温度规模内额外运转。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零穿插:140dB CMRR实践RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 快速安稳:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 实在轨到轨输入和输出 已滤除电磁搅扰( EMI)/射频搅扰(RFI)的输入 职业标...

  TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算扩大器

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算扩大器是新一代低功耗,通用运算扩大器的典型代表。该系列器材具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,十分适用于需求在本钱与功用间完结杰出平衡的各类电池供电型运用。 TLVx314-Q1系列可完结1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的抱负挑选。 TLVx314-Q1器材选用稳健经用的规划,便利电路规划人员运用。该器材具有单位增益安稳性,支撑轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI按捺滤波器,在过驱条件下不会呈现反相而且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器材通过优化,合适在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状况下作业并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度规模内额外运转。 TLV314-Q1(单通道)选用5引脚SC70和小外形尺度晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版别)选用8引脚小外形尺度集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺度(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1选用14引脚薄型小外形尺度(TSSOP)封装。 特性 契合轿车类运用的要求 具...

  DRV5021器材是一款用于高速运用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器材选用2.5V至5.5V电源作业,可检测磁通密度,并依据预界说的磁阈值供给数字输出。 该器材检测笔直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超越磁操作点(B OP )阈值时,器材的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度下降到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 别离发生的滞后有助于避免输入噪声引起的输出差错。这种装备使体系规划愈加强壮,可反抗噪声搅扰。 该器材可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度规模内始终如一地作业。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V作业电压V CC 规模 磁灵敏度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够到达20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪才能 作业温度规模:-40° C至+ 125°C 规范工业封装: 外表贴装SOT-23 一切商标均为其各自一切者的产业。 参数 与其它产品比较 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1 具有关断功用的 40V 微功耗推挽式轿车类高电压比较器

  TLV1805-Q1高压比较器供给宽电源规模,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的共同组合和快速输出呼应。一切这些特性使该比较器十分合适需求检测正或负电压轨的运用,如智能二极管操控器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其间推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的共同之处,它具有答应输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边际速率。这在MOSFET开关需求被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源衔接或断开的运用中特别有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功用使TLV1805-Q1满意灵敏,能够处理简直任何运用,从简略的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1契合AEC-Q100规范,选用6引脚SOT-23封装,额外作业温度规模为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100契合以下成果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度作业温度 器材HBMESD分类等级2 器材CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源规模 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模规模 相位回转保护 推 - 拉输出 250ns传达推迟 低输入失...

  这个长途温度传感器一般选用低本钱分立式NPN或PNP晶体管,或许基板热晶体管/二极管,这些器材都是微处理器,模数转化器(ADC),数模转化器(DAC),微操控器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和长途传感器均用12位数字编码表明温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口承受SMBus通讯协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器材将比如串联电阻抵消,可编程非抱负性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度约束和可编程数字滤波器等高档特性完美结合,供给了一套准确度和抗扰度更高且稳健经用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种散布式遥测运用中进行多方位高精度温度丈量的抱负挑选这类集成式本地和长途温度传感器可供给一种简略的办法来丈量温度梯度,然后简化了航天器保护活动。该器材的额外电源电压规模为1.7V至3.6V,额外作业温度规模为-55 °C至125°C。 特性 契合QMLV规范VXC 热增强型HKU封装 经测验,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可反抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测验,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可反抗高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转化器

  LP87524B /J /P-Q1旨在满意各种轿车电源运用中最新处理器和渠道的电源办理要求。该器材包含四个降压DC-DC转化器内核,装备为4个单相输出。该器材由I 2 C兼容串行接口和enableignals操控。 主动PFM /PWM(主动形式)操作可在宽输出电流规模内最大极限地进步功率。 LP87524B /J /P-Q1支撑长途电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,然后进步输出电压的精度。此外,开关时钟能够强制为PWM形式,也能够与外部时钟同步,以最大极限地削减搅扰。 LP87524B /J /P-Q1器材支撑负载电流丈量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支撑可编程的发动和封闭推迟以及与信号同步的序列。这些序列还能够包含GPIO信号,以操控外部稳压器,负载开关和处理器复位。在发动和电压改变期间,器材操控输出压摆率,以最大极限地削减输出电压过冲和浪涌电流。 特性 契合轿车运用要求 AEC-Q100契合以下成果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境作业温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转化器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  TAS2562 具有扬声器 IV 检测功用的数字输入单声道 D 类音频扩大器

  TAS2562是一款数字输入D类音频扩大器,通过优化,能够有用地将高峰值功率驱动到小型扬声器运用中。 D类扩大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载供给6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可完结对扬声器的实时监控。这答应在将扬声器坚持在安全操作区域的一起推进峰值SPL。具有避免掉电的电池盯梢峰值电压约束器可优化整个充电周期内的扩大器裕量,避免体系封闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器材共用一个公共总线 mm距离CSP封装,尺度紧凑。 高功用D类扩大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权闲暇信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%功率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT盯梢峰值电压约束器,具有欠压防备 8 kHz至192 kHz采样率 灵敏的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器材是业界规范的LM358和LM2904器材的下一代版别,包含两个高压(36V)操作扩大器(运算扩大器)。这些器材为本钱灵敏型运用供给了杰出的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地规模和高差分输入电压才能等特色。 LM358B和LM2904B器材简化电路规划具有增强安稳性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功用。 LM358B和LM2904B器材具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最巩固,极具环境应战性的运用。 LM358B和LM2904B器材选用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及职业规范封装,包含SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源规模(B版) 供给 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 一般 - 形式输入电压规模包含接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B类型,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在契合MIL-PRF-38535的产品上,除非还有阐明,不然一切参数均通过测验。在一切其他产品上,出产加工不一定包含一切参数的测验。 所...

  LP8756x-Q1器材专为满意各种轿车电源运用中最新处理器和渠道的电源办理要求而规划。该器材包含四个降压直流/直流转化器内核,这些内核可装备为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或许4个单相输出。该器材由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行操控。 主动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO形式)与主动增相和切相相结合,可在较宽输出电流规模内最大极限地进步功率.LP8756x-Q1支撑对多相位输出的长途差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,然后进步输出电压的精度。此外,能够强制开关时钟进入PWM形式以及将其与外部时钟同步,然后最大极限地下降搅扰。 LP8756x- Q1器材支撑在不增加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列或许包含用于操控外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在发动和电压改变期间,该器材会对输出压摆率进行操控,然后最大极限地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 契合轿车类规范 具有契合AEC-Q100规范的下列特性: 器材温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运转温度规模 器材HBM ESD分类等级2 器材CDM ES...

  LM290xLV系列包含双路LM2904LV和四路LM2902LV运算扩大器。这些器材由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算扩大器能够代替低电压运用中的本钱灵敏型LM2904和LM2902。有些运用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器材在低电压下可供给比LM290x器材更佳的功用,而且功用耗尽。这些运算扩大器具有单位增益安稳性,而且在过驱情况下不会呈现相位回转.ESD规划为LM290xLV系列供给了至少2kV的HBM规范。 LM290xLV系列选用职业规范封装。这些封装包含SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于本钱灵敏型体系的工业规范扩大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压规模包含接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益安稳 可在2.7V至5.5V的电源电压下运转 供给双通道和四通道类型

  严厉的ESD规范:2kV HBM 扩展温度规模:-40°C至125°C 一切商标均为各自一切者的产业。 参数 与其它产品比较 通用 运算扩大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器材专为满意各种轿车电源运用中最新处理器和渠道的电源办理要求而规划。该器材包含四个降压直流/直流转化器内核,这些内核可装备为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或许4个单相输出。该器材由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行操控。 主动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO形式)与主动增相和切相相结合,可在较宽输出电流规模内最大极限地进步功率.LP8756x-Q1支撑对多相位输出的长途差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,然后进步输出电压的精度。此外,能够强制开关时钟进入PWM形式以及将其与外部时钟同步,然后最大极限地下降搅扰。 LP8756x- Q1器材支撑在不增加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列或许包含用于操控外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在发动和电压改变期间,该器材会对输出压摆率进行操控,然后最大极限地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 契合轿车类规范 具有契合AEC-Q100规范的下列特性: 器材温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运转温度规模 器材HBM ESD分类等级2 器材CDM ES...

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